GaN的声表面波特性研究

• 作者: 严莉 何世堂 刘祥林 朱勤生 李昱峰 李红浪 王占国 王晓晖 袁海荣 陆大成 陆沅 陈振 陈晓阳 韩培德 黎大兵
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 声表面波速度 机电耦合系数
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 161-164
• 页数: 4页
• 分类号: O472.31
• 字数: 2095字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.02.012

摘要

采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜.为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性,在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器,叉指换能器采用等叉指结构,叉指的数目为40对,叉指间距为15μm.采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度,并通过计算得到了机电耦合系数(κ2).所测量的声表面波速度(v)为5 667m/s,机电耦合系数(κ2)为1.9%.