基于SOI的光子晶体波导的研究

• 作者: 张冶金 彭小舟 解灵运 谢世钟 陈向飞
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 光子晶体 光子带隙 深紫外曝光 SOI 平面波展开法 时域有限差分法
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 392-395
• 页数: 4页
• 分类号: TN252
• 字数: 3824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.06.005

摘要

给出了基于SOI晶片、带隙中心位于1 550 nm的光子带隙材料及光子晶体波导器件的设计方法.采用基于超原胞的平面波展开法和基于完美匹配层边界条件的三维时域有限差分法,对二维光子晶体平板的带隙结构及光波传输进行仿真.在大量计算和优化的基础上,设计了适于248 nm深紫外曝光和0.18μm离子束刻蚀工艺的光子晶体带隙材料及波导器件,得到了初步的工艺实验结果和样品SEM测试结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈向飞	清华大学电子工程系	16	149	6.0	12.0
2	谢世钟	清华大学电子工程系	84	540	10.0	19.0
3	张冶金	清华大学电子工程系	13	30	4.0	4.0
4	解灵运	清华大学电子工程系	1	4	1.0	1.0
5	彭小舟	清华大学电子工程系	3	11	3.0	3.0