0.275μm nMOST's中陷阱辅助隧穿电流对漏端LDD区DCIV谱峰的影响

• 作者: 刘东明 杨国勇 王金延 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: direct-current current voltage(DCIV) 热电子 可能性 陷阱辅助隧穿电流 电荷泵(CP)
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 122-126
• 页数: 5页
• 分类号: TN43
• 字数: 1198字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.003

摘要

应用direct-current current voltage(DCIV)和电荷泵(change pumping)技术研究了LDD nMOST's在热电子应力下产生的界面陷阱.测试和分析的结果显示,一股额外的漏端电流影响了DCIV谱峰中表征漏区的D峰.这股电流主要是陷阱辅助隧穿电流.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
3	王金延	北京大学微电子学研究所	13	15	2.0	3.0
4	刘东明	北京大学微电子学研究所	19	35	3.0	5.0
5	杨国勇	北京大学微电子学研究所	18	93	6.0	9.0