在GaAs衬底表面生长GaN过程中的氮化新方法

• 作者: 刘国涛 周智猛 徐茵 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 外延生长 GaN薄膜 反射高能电子衍射
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 45-47
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1776字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.01.011

摘要

分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺特点,在此基础上尝试了一种新的氮化方法处理衬底表面,并进行了一系列不同条件下的对比试验,以反射高能电子衍射(RHEED)和X射线衍射(XRD)对实验结果进行检测,发现在清洗的过程中加入一定量的氮可以避免单纯氢清洗对衬底的损伤,并取得了比较好的氮化效果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	40	235	8.0	14.0
2	顾彪	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	41	363	12.0	18.0
3	徐茵	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	26	207	8.0	13.0
4	周智猛	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	2	4	1.0	2.0
5	刘国涛	大连理工大学电气工程与应用电子技术系	2	4	1.0	2.0