离子注入4H-SiC MESFET器件的夹断电压

• 作者: 张义门 张玉明 王守国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 离子注入 MESFET 夹断电压
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 697-701
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 453字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.005

摘要

考虑离子注入沟道和沟道深度的影响,提出了精确的离子注入4H-SiC MESFET器件夹断电压的理论计算方法.注入浓度由蒙特卡罗模拟软件TRIM提取计算.研究了温度、外延层受主浓度、注入离子激活率对夹断电压的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张义门	西安电子科技大学微电子所	129	835	15.0	21.0
2	张玉明	西安电子科技大学微电子所	126	777	15.0	20.0
3	王守国	西安电子科技大学微电子所	4	30	3.0	4.0