掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷正电子寿命谱研究

• 作者: 籍远明
• 来源期刊: 稀土
• 学科: 物理学
• 关键词: 导电陶瓷 正电子湮没 缺陷
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 31-33，36
• 页数: 4页
• 分类号: O571.33
• 字数: 2699字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-0277.2003.03.009

摘要

用正电子湮没技术,结合X射线衍射结构分析,对掺杂Y2O3的ZnO导电陶瓷烧结过程进行了研究,给出了掺杂含量、烧结温度和烧结时间对材料结构的影响特征,研究发现:Y2O3掺杂量增加,ZnO导电陶瓷材料完整性变差;烧结温度升高,ZnO陶瓷产生微空洞为主的缺陷;烧结时间增加,微空洞缺陷数目明显增加.同时对正电子湮没机制与ZnO陶瓷导电特性的关联进行了研究.