多量子阱电吸收调制DFB激光器的一种新型LP-MOCVD对接生长方法

• 作者: 周帆 朱洪亮 李宝霞 王圩 王宝军 王鲁峰 田惠良 胡小华 舒惠云 边静
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 电吸收调制DFB激光器 对接外延 LP-MOCVD InGaAsP多量子阱
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 841-846
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2962字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.08.013

摘要

提出了一种提高多量子阱电吸收调制DFB-LD集成器件(EML)耦合效率的对接生长方法.采用LP-MOCVD外延方法,制作了对接方法不同的三种样片,通过扫描电镜研究它们的表面及对接界面形貌,发现新对接结构的样片具有更好的对接界面.制作出相应的三种EML管芯,从测量所得到的出光功率特性曲线,计算出不同对接方法下EML管芯的耦合效率和外量子效率.实验结果表明,这种对接生长方案,可以获得光滑的对接界面,显著提高了激光器和调制器之间的耦合效率(从常规的17%提高到78%)及EML器件的外量子效率(从0.03mW/mA提高到0.15mW/mA).