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摘要:
对磁控溅射生长在单晶Si(001)衬底上的CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系进行了研究.CNx薄膜沉积实验在纯N2的环境下进行,衬底温度(Ts)保持在350℃,衬底偏压(Vb)在0~-150V之间变化.利用原子力显微镜(AFM)和划痕试验机来测量CNx薄膜的表面粗糙度及对衬底的附着力.AFM和划痕实验的结果显示衬底偏压Vb对CNx薄膜的附着力和表面粗糙程度的影响很大,在-100V偏压下生长的CNx薄膜表面最光滑(粗糙度最小),同时对Si(001)衬底的附着力最好.最后根据实验结果确定了在单晶Si(001)衬底上生长光滑而且附着力好的CNx薄膜的最佳实验条件.
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文献信息
篇名 磁控溅射CNx薄膜的附着力、粗糙度与衬底偏压的关系
来源期刊 发光学报 学科 物理学
关键词 CNx薄膜 粗糙度 附着力 衬底偏压
年,卷(期) 2003,(3) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 305-308
页数 4页 分类号 O484.5
字数 2184字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.03.019
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研究主题发展历程
节点文献
CNx薄膜
粗糙度
附着力
衬底偏压
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发光学报
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大16开
长春市东南湖大路16号
12-312
1970
chi
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