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摘要:
TMAH 具有刻硅速率高、晶向选择性好、低毒性和对CMOS工艺的兼容性好等优点,而成为MEMS工艺中常用的刻蚀剂.但TMAH在刻蚀过程中会形成表面小丘,影响表面光滑性.文章重点研究了MEMS工艺中的TMAH湿法刻蚀获得光滑刻蚀表面的工艺.实验结果表明,要获得理想的刻蚀效果,刻蚀液配方和刻蚀条件的选择是非常重要的因素,实验中也得到了一些与其它报道不同的数据.
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文献信息
篇名 MEMS工艺中TMAH湿法刻蚀的研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 湿法刻蚀 TMAH MEMS
年,卷(期) 2003,(2) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 127-130
页数 4页 分类号 TN305.7
字数 1453字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.02.015
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 罗元 重庆大学光电工程学院 192 1681 17.0 31.0
3 黄尚廉 重庆大学光电工程学院 164 3610 34.0 51.0
4 李向东 6 151 5.0 6.0
5 付红桥 重庆大学光电工程学院 24 232 8.0 14.0
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研究主题发展历程
节点文献
湿法刻蚀
TMAH
MEMS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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22967
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