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摘要:
研究了硅粉直接氮化反应合成氮化硅粉末的工艺因素(包括硅粉粒度、氮化温度、成型压力、稀释剂含量等),借助XRD,SEM等测试手段测定和观察了氮化产物的物相组成和断口形貌.研究结果表明:硅粉在流动氮气氛下,高于1200℃氮化产物中氮含量明显增加;在氮化反应同时还伴随着硅粉的熔结过程,它阻碍硅粉的进一步氮化,其影响程度与氮化温度、氮化速度,素坯成型压力及硅粉粒度等工艺因素有关.在硅粉素坯中引入氮化硅作为稀释剂,提高了硅粉的氮化率,使产物中残留硅量降低;同样在实际生产中可以通过控制适当热处理制度(如分段保温、慢速升温),达到硅粉的完全氮化.在生产中批量合成了含氮量为32.5%,残留硅量为0.05%,主要为α相,含少量β相的针状、柱状的氮化硅.
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文献信息
篇名 硅粉直接氮化反应合成氮化硅研究
来源期刊 硅酸盐通报 学科 工学
关键词 直接氮化 氮化硅 合成
年,卷(期) 2003,(1) 所属期刊栏目 专题论文
研究方向 页码范围 30-34
页数 5页 分类号 TQ174
字数 3093字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-1625.2003.01.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李亚伟 武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室 106 647 12.0 20.0
2 李楠 武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室 190 1799 21.0 30.0
3 张忻 武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室 8 74 3.0 8.0
4 田海兵 武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室 3 49 1.0 3.0
5 刘俊虎 武汉科技大学高温陶瓷与耐火材料湖北省重点实验室 4 54 2.0 4.0
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氮化硅
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硅酸盐通报
月刊
1001-1625
11-5440/TQ
16开
北京市朝阳区东坝红松园1号中材人工晶体研究院733信箱
80-774
1980
chi
出版文献量(篇)
8598
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10
总被引数(次)
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