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摘要:
碳化硅粉末经压制成型后,在高温常压下固相烧结制成多孔碳化硅样品.用紫外激光对样品激发,样品的光致发光谱在低温下在2.02 eV位置出现一发光主峰,在2.13 eV位置出现一微弱肩峰;在室温下发光峰位置有所蓝移.样品的电阻率随着烧结温度的上升而上升,随着成型压力的升高而降低.发光来自缺陷态.
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文献信息
篇名 固相烧结多孔碳化硅的光致发光及电阻率
来源期刊 西安理工大学学报 学科 工学
关键词 多孔碳化硅 烧结 光致发光 电阻率
年,卷(期) 2003,(2) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 120-123
页数 4页 分类号 TN304.05|TN304.07
字数 2545字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1006-4710.2003.02.004
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈治明 西安理工大学自动化与信息工程学院 83 498 11.0 18.0
2 蒲红斌 西安理工大学自动化与信息工程学院 33 119 7.0 9.0
3 马剑平 西安理工大学自动化与信息工程学院 19 114 7.0 10.0
4 封先锋 西安理工大学自动化与信息工程学院 22 106 7.0 9.0
5 昝祥 西安理工大学自动化与信息工程学院 1 8 1.0 1.0
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研究主题发展历程
节点文献
多孔碳化硅
烧结
光致发光
电阻率
研究起点
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研究分支
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西安理工大学学报
季刊
1006-4710
61-1294/N
大16开
西安市金花南路5号
1978
chi
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