Na对SnO2-CoO-Nb2O5系压敏材料电学性能的影响

• 作者: 亓鹏 王文新 王春明 王矜奉 臧国忠 苏文斌 陈洪存
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳酸钠 二氧化锡 压敏材料 肖特基势垒 压敏电压
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 679-681
• 页数: 3页
• 分类号: TN379
• 字数: 2615字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.06.026

摘要

研究了Na对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时, (Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从275V/mm增到919V/mm.样品的微观结构分析发现,当Na2CO3的含量从0增加到1.2mol%时,SnO2的晶粒尺寸明显的变小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2的晶粒尺寸的迅速减小是压敏电压急剧增高的原因.对Na含量增加引起SnO2晶粒减小的根源进行了解释.掺杂0.4mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数达28.4,击穿电压为755V/mm,掺杂1.2mol% Na2CO3的SnO2压敏电阻非线性系数为11.5,击穿电压高达919V/mm,它们在中高压保护领域会有很好的应用前景.本文并指出替代Sn的受主离子Na不应处于SnO2晶格中,而是处于间界上,从而进一步解释了压敏电压急剧增高的原因.