高响应度GaN紫外探测器

• 作者: 刘杰 周建军 张荣 江若琏 沈波 沙金 郑有炓
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 光电探测器 响应度
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 172-173，177
• 页数: 3页
• 分类号: TN36
• 字数: 1318字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.03.008

摘要

采用MOCVD方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层.以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-S-M)光导型GaN探测器.该探测器的光谱响应表明:器件在330～360 nm内有高的灵敏度,并且在360 nm附近有陡峭的截止边,对可见光和近红外光几乎没有响应,在5 V偏压下358 nm处峰值响应度高达1 200 A/W.研究了光从探测器的正、背面入射时对响应度的影响,并讨论了其原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘杰	南京大学物理系	27	427	8.0	20.0
2	周建军	南京大学物理系	36	120	7.0	10.0
3	郑有炓	南京大学物理系	78	353	11.0	15.0
4	张荣	南京大学物理系	134	576	13.0	17.0
5	沈波	南京大学物理系	34	136	7.0	10.0
6	江若琏	南京大学物理系	11	57	5.0	7.0
7	沙金	南京大学物理系	11	41	4.0	5.0