兼容标准CMOS工艺的高压器件设计与模拟

• 作者: 于洋 仙文岭 刘奎伟 钱鹤 陈则瑞 韩郑生 饶竞时
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压CMOS 0.5μm 兼容工艺 模拟
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 758-762
• 页数: 5页
• 分类号: TN303|TN405
• 字数: 1754字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.016

摘要

在Synopsys TCAD软件环境下,模拟实现了与0.5μm标准CMOS工艺兼容的高压CMOS器件,其中NMOS耐压达到108V,PMOS耐压达到-69V.在标准CMOS工艺的基础上添加三块掩膜版和五次离子注入即可完成高压CMOS器件,从而实现高、低压CMOS器件的集成.此高压兼容工艺适用于制作带高压接口的复杂信号处理电路.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩郑生	中国科学院微电子中心	122	412	10.0	12.0
3	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
5	刘奎伟	中国科学院微电子中心	2	10	2.0	2.0
10	陈则瑞		3	10	2.0	3.0
11	于洋		2	10	2.0	2.0
12	仙文岭		2	10	2.0	2.0
13	饶竞时		2	10	2.0	2.0