直流反应磁控溅射Zn1-xCdxO薄膜的研究

• 作者: 叶志镇 赵炳辉 马德伟 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Zn1-xCdxO薄膜 磁控溅射 禁带宽度
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1053-1056
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2235字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.010

摘要

用直流反应磁控溅射法在n-Si(111)和玻璃衬底上生长高度择优取向的Zn1-xCdxO合金晶体薄膜,最佳生长温度为450℃(x＝0.2).当x≤0.6时,Zn1-xCdxO薄膜具有纯ZnO的六角结构,x＝0.8时,薄膜是由ZnO六角结构晶体和CdO立方结构晶体组成的混合物.透射光谱测试表明,通过改变合金薄膜中Cd的含量,可以调节Zn1-x-CdxO薄膜的禁带宽度.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
4	马德伟	浙江大学硅材料国家重点实验室	3	9	2.0	3.0