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摘要:
采用H2O2催化的电化学法制备多孔硅,用原子力显微镜观察了样品的形貌,并测量了在不同电流密度下制得的多孔硅和在不同氧化时间高温氧化的多孔硅的光致发光谱.实验结果表明,采用H2O2催化的电化学法制备的多孔硅与常规电化学法制备的多孔硅相比,其表面更平整、细密、均匀.随着电流密度和氧化时间的增加,多孔硅的发光谱峰位蓝移.此实验结果符合量子限制模型.
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文献信息
篇名 H2O2催化多孔硅的光致发光研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 多孔硅 光致发光 H2O2
年,卷(期) 2003,(6) 所属期刊栏目 材料、结构及工艺
研究方向 页码范围 454-456
页数 3页 分类号 TN304
字数 2622字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.06.024
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 晁明举 周口师范学院物理与电子科学系 68 737 18.0 23.0
3 杜远东 周口师范学院物理与电子科学系 19 79 6.0 8.0
4 钱萍 周口师范学院物理与电子科学系 4 6 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
多孔硅
光致发光
H2O2
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
总下载数(次)
22
总被引数(次)
22967
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