表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质

• 作者: 李昱峰 王占国 陈振 韩培德 黎大兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 量子点 MOCVD
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 3232字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.008

摘要

为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究.AFM和TEM观察结果表明:InGaN/GaN为平均直径约30nm,高度约25nm的圆锥;InGaN量子点主要集中在圆锥形的顶部,其密度达到5.6×1010cm-2.室温下,InGaN量子点材料PL谱强度大大超出相同生长时间的InGaN薄膜材料,这说明InGaN量子点有望作为高性能有源层材料应用于GaN基发光器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王占国	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	101	701	15.0	23.0
2	韩培德	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	35	127	6.0	9.0
3	陈振	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	7	30	2.0	5.0
4	李昱峰	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	2	18	2.0	2.0
5	黎大兵	中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室	4	18	1.0	4.0