FCVAD合成Ta-C(N)薄膜及其Raman和XPS分析

• 作者: 张荟星 王广甫
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁过滤阴极真空弧沉积 Ta-C(N)薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 535-539
• 页数: 5页
• 分类号: O482.31
• 字数: 2872字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.05.021

摘要

掺N非晶金刚石Ta-C(N)薄膜是合成β-C3N4研究中出现的一种新型固体薄膜材料,近年来由于其优异的电化学性能受到越来越多的关注.我们用磁过滤阴极真空弧等离子体沉积(FCVAD)方法在不同N2分压下,在Si衬底上合成了Ta-C(N)薄膜.Raman和XPS分析表明Ta-C:N薄膜中的N主要以C=N的方式与C结合.N2分压越大,N/C原子比越高,最高可达31.1%.但同时sp3键含量越低,并且合成Ta-C:N薄膜的速度越慢.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王广甫	北京师范大学分析测试中心	45	220	7.0	13.0
2	张荟星	北京师范大学低能核物理研究所	17	115	6.0	10.0