合成GaP纳米晶过程的关键影响因素

• 作者: 于乃森 于美燕 刘振刚 崔得良 王琪珑 白玉俊 郝霄鹏
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 磷化镓 纳米晶 纳米棒 X射线衍射 关键因素
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 224-227
• 页数: 4页
• 分类号: O766|O782.9
• 字数: 2747字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.03.009

摘要

本文系统研究了在有机溶剂中常压合成GaP纳米晶过程中反应温度、反应时间、反应体系的均匀性和原料的比例等关键影响因素.GaP纳米晶的产率、形貌以及平均粒度随着这些关键因素的改变有很大的不同.制备的GaP纳米晶用X射线衍射仪和透射电镜进行了表征.发现了最优化的合成工艺条件,实现了GaP纳米晶的高产率(达85%)制备,而且形貌和粒度可以根据需要进行调控.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郝霄鹏	山东大学晶体材料国家重点实验室	21	142	7.0	11.0
2	于乃森	山东大学晶体材料国家重点实验室	5	40	3.0	5.0
3	崔得良	山东大学晶体材料国家重点实验室	44	286	9.0	13.0
4	王琪珑	山东大学化学与化工学院	18	103	7.0	9.0
5	于美燕	山东大学化学与化工学院	9	41	4.0	6.0
6	白玉俊	山东大学晶体材料国家重点实验室	13	128	7.0	11.0
7	刘振刚	山东大学化学与化工学院	8	26	3.0	4.0