InGaAs/AlGaAs半导体激光器二维阵列

• 作者: 冯荣珠 安振峰 花吉珍 辛国锋 陈国鹰
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 激光技术 半导体激光器 金属有机化合物气相淀积 二维阵列 分别限制单量子阱
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 激光器件
• 页码范围: 684-686
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2003.08.004

摘要

用金属有机化合物气相淀积(MOCVD)技术外延生长了InGaAs/AlGaAs分别限制应变单量子阱激光器材料.利用该材料制成半导体激光器一维线阵列,然后再串联组装成二维阵列,在1000 μs的输入脉宽下,输出峰值功率达到730 W(77 A),输出光功率密度为487 W/cm2,中心激射波长为903 nm,光谱半宽(FWHM)为4.4 nm.在此条件下可以稳定工作8600 h以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈国鹰	河北工业大学信息学院微电子所	62	307	9.0	12.0
2	花吉珍	中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部	18	74	5.0	7.0
3	安振峰	中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部	31	150	7.0	10.0
4	冯荣珠	中国电子科技集团公司第十三研究所光电专业部	5	22	3.0	4.0
5	辛国锋	河北工业大学信息学院微电子所	9	47	5.0	6.0