重掺直拉硅对重金属Cr的内吸杂能力

• 作者: 余学功 杨建松 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 重掺直拉硅 氧沉淀 内吸杂
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 598-601
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2202字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.007

摘要

研究了重掺硼(HB)、重掺砷(HAs)以及重掺锑(HSb)直拉(CZ)硅片对重金属Cr的内吸杂能力.将不同程度(～1012cm-2,～1014cm-2)沾污Cr的硅片在N2下进行常规的高-低-高三步退火,并由全反射X射线荧光光谱(TRXF)测量退火前后样品表面Cr的含量.结果表明在三种重掺硅中,HB硅片的内吸杂能力最强,HAs硅片次之,HSb硅片最低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0
5	杨建松	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	15	2.0	2.0