IGBT的Protel 99se简化模型及仿真

• 作者: 卢根锁
• 来源期刊: 电力系统及其自动化学报
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),Protel 99SE,简化模型 仿真
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 80-82
• 页数: 3页
• 分类号: TN7
• 字数: 2010字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-8930.2003.03.022

摘要

本文提出一种简便的模拟绝缘栅双极性晶体管(IGBT-Insulated Gate Bipolar Transistor)的方法,利用外部特性参数提取、换算模型参数,通过建立Protel 99SE中的数据库项,能够对任意新型号的IGBT进行仿真.文中给出一个实际器件的模拟结论,验证了方法的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	卢根锁		14	12	2.0	3.0