非对称耦合量子阱中亚毫米波辐射及其带间激子复合发光特性的理论研究

• 作者: 胡振华 黄德修
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 非对称耦合量子阱 电子波包振荡 亚毫米波辐射 近红外发射
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1488-1495
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 5939字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.06.034

摘要

基于V形三能级模型运用密度矩阵方程研究了非对称耦合量子阱退局域化现象,并具体分析了导带中电子作阱间振荡所产生的亚毫米辐射和激子复合所产生的近红外发射物理过程.理论结果表明:阱间电子波包振荡等效为一经典阻尼振子,其寿命由载流子与纵向光学声子散射时间和电子穿过势垒的渡越时间决定,所产生的亚毫米波辐射强度衰减仅与阱间阻尼系数有关,其线性服从洛仑兹分布.由带间激子复合所产生的近红外辐射频率随电子阱间振荡频率增加而减小,表现为量子限域斯塔克红移,即非对称量子阱在近红外发光区特性随反向偏压而变.这一结果预示着耦合量子阱作为高速调制器和可调谐光源在光通信中具有广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄德修	华中科技大学光电子工程系	245	1938	20.0	28.0
2	胡振华	华中科技大学光电子工程系	14	76	5.0	8.0