一种用于分离pMOS器件热载流子应力下氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对阈值电压退化作用的方法

• 作者: 杨国勇 毛凌锋 王金延 许铭真 谭长华 霍宗亮
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOS器件 氧化层陷阱 界面陷阱 热载流子退化 阈值电压
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 673-679
• 页数: 7页
• 分类号: TN43
• 字数: 2755字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.001

摘要

在电荷泵技术的基础上,提出了一种新的方法用于分离和确定氧化层陷阱电荷和界面陷阱电荷对pMOS器件热载流子应力下的阈值电压退化的作用,并且这种方法得到了实验的验证.结果表明对于pMOS器件退化存在三种机制:电子陷阱俘获、空穴陷阱俘获和界面陷阱产生.需要注意的是界面陷阱产生仍然是pMOS器件热载流子退化的主要机制,不过氧化层陷阱电荷的作用也不可忽视.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	霍宗亮	北京大学微电子学研究所	8	12	2.0	2.0
2	毛凌锋	北京大学微电子学研究所	16	38	4.0	4.0
3	谭长华	北京大学微电子学研究所	48	99	5.0	7.0
4	许铭真	北京大学微电子学研究所	52	102	5.0	7.0
5	王金延	北京大学微电子学研究所	13	15	2.0	3.0
6	杨国勇	北京大学微电子学研究所	18	93	6.0	9.0