砷压热处理对半绝缘GaAs性能的影响

• 作者: 张声豪 王松柏
• 来源期刊: 福建师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 砷压热处理 主要施主浓度EL2 禁带宽度EgΓ 双极扩散长度La
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 41-44
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 2238字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5277.2003.01.010

摘要

采用5种经不同砷压但相同生长温度(1000℃)和时间(5 h)处理的半绝缘(SI)GaAs样品,利用表面光伏(SPV)方法,测量和计算了SI-GaAs在室温(300 K)下的主要施主浓度EL2、禁带宽度EgΓ和双极扩散长度La,并从理论上给出了相应的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王松柏	福州大学电子系	7	7	2.0	2.0
2	张声豪	厦门大学物理系	5	16	3.0	4.0