退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响

• 作者: 叶志镇 吕建国 汪雷 赵炳辉 黄靖云
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ZnO薄膜 退火处理 退火模型 结晶性能
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 729-736
• 页数: 8页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 4545字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.011

摘要

研究了退火处理对ZnO薄膜结晶性能的影响.ZnO薄膜由直流反应磁控溅射技术制得,并在O2气氛中不同温度(200～1000℃)下退火,利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对其结晶性能进行了研究,提出了一个较为完善的ZnO薄膜退火模型.研究表明:热处理可使c轴生长的薄膜取向性增强;随退火温度的升高,薄膜沿c轴的张应力减小,压应力增加;同时晶粒度增大,表面粗糙度也随之增加.在640℃的应力松弛温度(SRT)下,ZnO薄膜具有很好的c轴取向,沿c轴的应力处于松弛状态,晶粒度不大,表面粗糙度较小,此时ZnO薄膜的结晶性能最优.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
3	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0
4	黄靖云	浙江大学硅材料国家重点实验室	51	610	12.0	23.0
5	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0