Pt/n-GaN肖特基接触的退火行为

• 作者: 冯志宏 冯淦 孙元平 张泽洪 杨辉 段俐宏 沈晓明 王俊 赵德刚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN Pt 肖特基接触 退火
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 279-283
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 2482字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.03.010

摘要

在金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触,并在250～650℃范围内对该接触进行退火.通过实验发现,Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形成较好的肖特基接触,而适当的退火温度可以有效地改善Pt/n-GaN肖特基接触的性质.在该实验条件下,400℃温度下退火后的Pt/n-GaN肖特基接触,势垒高度最大,理想因子最小.在600℃以上温度退火后,该接触特性受到破坏,SEM显示在该温度下,Pt已经在GaN表面凝聚成球,表面形成孔洞.