Si(111)衬底上生长的立方MgxZn1-xO晶体薄膜

• 作者: 吴惠桢 田维坚 邱东江 陈奶波
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 电子束反应蒸镀 立方MgxZn1-xO薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1385-1388
• 页数: 4页
• 分类号: O481
• 字数: 2703字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.06.041

摘要

在国际上第一次采用电子束反应蒸发法在Si(111)衬底上生长了MgxZn1-xO晶体薄膜.能量色散X射线(EDX)特征能谱及X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈立方结构,薄膜的晶面取向依赖于生长温度,在200C温度下生长得到高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜,温度过高时得到多晶薄膜.对高度(200)取向的立方MgxZn1-xO薄膜的光荧光激发谱(PLE)分析表明其光学带隙为4.20eV,相对于MgO的带隙红移量为3.50eV.XRD分析还表明立方MgxZn1-xO薄膜与MgO衬底之间的晶格失配仅为0.16%.这使得高质量立方MgxZn1-xO/MgO多量子阱材料的制备成为可能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴惠桢	浙江大学物理系	37	219	9.0	12.0
2	邱东江	浙江大学物理系	22	144	8.0	11.0
3	田维坚	中国科学院西安精密光学机械研究所	39	492	13.0	20.0
4	陈奶波	浙江大学物理系	5	44	5.0	5.0