自组织量子点的优化生长

• 作者: 曾一平 朱占平 段瑞飞 王宝强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaAs/GaAs 分子束外延 原子力显微镜 优化 光电器件
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1009-1015
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 522字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.001

摘要

在不同生长条件下,生长低组分InGaAs/GaAs自组织量子点并且使用接触式AFM进行测量.通过对生长条件的优化,得到高密度、高均匀性的量子点MBE生长条件,这对于自组织量子点在器件方面的应用,比如量子点红外探测器和量子点激光器,是非常重要的.同时,还与优化的InAs/GaAs生长条件进行了比较.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾一平	中国科学院半导体研究所新材料部	85	439	11.0	16.0
2	段瑞飞	中国科学院半导体研究所新材料部	8	34	4.0	5.0
3	王宝强	中国科学院半导体研究所新材料部	9	21	2.0	4.0
4	朱占平	中国科学院半导体研究所新材料部	3	6	1.0	2.0