MOCVD TiN薄膜厚度漂移对于W填充能力的影响

• 作者: 利定东 孙志国 许志
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD TiN 厚度 W 填充能力
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 29-31
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.11.011

摘要

在大规模集成电路的制造过程中,MOCVD TiN因为其优良的覆盖性能和一致性而被广泛用作W和Al材料的扩散阻挡层和连接层材料.本文介绍了MOCVD TiN厚度对于W填充能力的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	利定东		5	30	1.0	5.0
2	许志		4	35	2.0	4.0
3	孙志国		1	0	0.0	0.0