高性能42nm栅长CMOS器件

• 作者: 侯瑞兵 刘明 吴德馨 徐秋霞 蒋浩杰 赵玉印 钱鹤 陈宝钦 韩郑生
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 42nm栅长 CMOS器件 超陡倒掺杂 灰化工艺 高选择比 高各向异性 Co/Ti自对准硅化物
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 153-160
• 页数: 8页
• 分类号: TN305
• 字数: 6259字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.035

摘要

研究了20～50nm CMOS器件结构及其关键工艺技术,采用这些创新性的工艺技术研制成功了高性能42nm栅长CMOS器件和48nm栅长的CMOS环形振荡器.在电源电压VDD为±1.5V下,NMOS和PMOS的饱和驱动电流Ion分别为745μA/μm和-530μA/μm,相应的关态漏电流Ioff分别为3.5nA/μm和-15nA/μm.NMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为72mV/Dec和34mV/V,PMOS的亚阈值斜率和DIBL分别为82mV/Dec和57mV/V.栅长为48nm的CMOS 57级环形振荡器,在1.5V电源电压下每级延迟为19.9ps.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	徐秋霞	中国科学院微电子中心	37	108	6.0	8.0
3	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
4	韩郑生	中国科学院微电子中心	122	412	10.0	12.0
5	陈宝钦	中国科学院微电子中心	50	361	11.0	16.0
6	钱鹤	中国科学院微电子中心	32	164	7.0	12.0
7	侯瑞兵	中国科学院微电子中心	1	2	1.0	1.0
8	蒋浩杰	中国科学院微电子中心	1	2	1.0	1.0
9	赵玉印	中国科学院微电子中心	4	13	2.0	3.0