GaAs单晶生长工艺的发展状况

• 作者: 肖顺珍 蒋荣华
• 来源期刊: 光机电信息
• 学科: 物理学
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 材料科学与技术
• 页码范围: 11-17
• 页数: 7页
• 分类号: O7
• 字数: 6061字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-1180.2003.07.003

摘要

综述了几种较为成功的适合于工业化大规模生长及科研应用的GaAs材料的生长工艺,如液封直拉法、水平布里支曼法、垂直梯度凝固法/垂直布里支曼法和蒸气压控制直拉法.对比分析了几种GaAs晶体生长工艺的优缺点,并介绍了各种器件和电路对GaAs单晶材料的要求.列举了GaAs单晶生长中有待解决的问题:热对流与残余热应力问题;位错和亚结构问题;与晶体生长相关的化学计量问题,此外还介绍了我国GaAs材料的发展状况.