In:Ce:Cu:LiNbO3晶体的生长及存储性能研究

• 作者: 徐悟生 王军 王锐
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体 存储性能 响应时间 晶体生长
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 16-19
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2131字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.004

摘要

在Ce∶Cu∶LiNbO3晶体中掺进In2O3,用CZ法首次生长In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体.对晶体的抗光折变能力、红外光谱、指数增益系数、衍射效率和响应时间进行了测试,结果表明:In(3mol%)∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体的抗光折变能力比Ce∶Cu∶LiNbO3提高两个数量级,其OH-吸收峰由LiNbO3的3484 cm-1移到3508 cm-1,响应速度比Ce∶Cu∶LiNbO3晶体快三倍.对In∶Ce∶Cu∶LiNbO3晶体抗光折变能力提高的机理、红外光谱OH-吸收峰紫移的机理进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王军	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	143	1081	17.0	26.0
2	徐悟生	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	32	150	5.0	10.0
3	王锐	哈尔滨工业大学光电子技术研究所	64	295	9.0	12.0