PAE效应的分析与解决

• 作者: 叶青 周玉梅 杨旭 黄令仪
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: PAE效应 天线 跳线
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 17-19
• 页数: 3页
• 分类号: TN305
• 字数: 1915字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.07.006

摘要

PAE效应是芯片在加工过程中,静电对栅氧化层的破坏性击穿效应.本文分析了PAE的成因,提出了几种估量PAE效应的算法,并提出了解决PAE的方法.所提供的计算及解决方法成功地应用在"龙芯-Ⅰ CPU"的设计中,保证了芯片的加工过程没有PAE效应出现.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨旭	中国科学院微电子中心	53	570	15.0	21.0
2	周玉梅	中国科学院微电子中心	94	1031	16.0	28.0
3	叶青	中国科学院微电子中心	103	768	15.0	25.0
4	黄令仪	中国科学院微电子中心	12	63	3.0	7.0