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摘要:
利用自行研制的"光电阴极多信息量测试系统"首次对国产三代微光管中的GaAs光电阴极的均匀性进行了光谱响应测试,结果表明该国产三代微光管存在明显的非均匀性.利用曲线拟合方法估算了GaAs光电阴极的材料性能参数,发现表面逸出概率不一致是非均匀性的主要原因,GaAs材料的少子扩散长度(1.12~1.82)μm,与阴极厚度相当,后界面复合速率在(1×105~1×106)cm/s之间,它限制了阴极灵敏度的提高.
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文献信息
篇名 三代微光管均匀性测试与分析
来源期刊 真空科学与技术学报 学科 工学
关键词 微光管 均匀性 GaAs 光谱响应 评估
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 学术论文
研究方向 页码范围 248-250,263
页数 4页 分类号 TN214
字数 2386字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.04.007
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 常本康 南京理工大学电子工程与光电技术学院 234 2020 19.0 30.0
2 杜玉杰 南京理工大学电子工程与光电技术学院 10 74 6.0 8.0
3 杜晓晴 南京理工大学电子工程与光电技术学院 17 214 11.0 14.0
4 宗志园 南京理工大学电子工程与光电技术学院 20 154 9.0 11.0
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微光管
均匀性
GaAs
光谱响应
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