锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响

• 作者: 侯育冬 屈绍波 杨祖培 田长生 高峰
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锰掺杂 PZN-PZT 压电性能
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 590-594
• 页数: 5页
• 分类号: TM282
• 字数: 2842字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2003.03.013

摘要

研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低.此外,锰掺杂使材料体系"变硬",εT33/ε0和tanδ变小,Qm值增加,同时瓷体较高的致密度又保证了Kp不致降低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屈绍波	西北工业大学材料科学与工程学院	12	135	7.0	11.0
2	田长生	西北工业大学材料科学与工程学院	110	922	16.0	24.0
3	高峰	西北工业大学材料科学与工程学院	119	958	16.0	23.0
4	杨祖培	西北工业大学材料科学与工程学院	14	140	7.0	11.0
5	侯育冬	西北工业大学材料科学与工程学院	12	165	6.0	12.0