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摘要:
采用^60钴-γ射线100-800Gy对苦荞的4个品种进行辐射处理,处理结果表明,随着剂量的增加苦荞的幼苗高度和根系生长逐渐受到抑制。辐射处理在700-800Gy内苦荞的幼苗生长受到显著的影响,而100-200Gy的处理对苦荞的影响不大。辐射种子能够引起苦养多个性状发生变异,但在100L-200Gy突变频率很低,而在300-600Gy内,随着剂量的增加突变频率则逐渐增加。根据处理结果,最适宜的剂量是300-600Gy。辐射处理导致苦荞黄酮含量发生改变,并可以从中选择到高黄酮含量的突变型。此外,通过选择还获得了高抗落粒性、较高黄酮含量和适宜生育期的突变型“5—2—62”。
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文献信息
篇名 ^60钴-γ射线诱发突变改良苦荞的研究
来源期刊 西昌农业高等专科学校学报 学科 农学
关键词 ^60钴-γ射线 苦荞改良 辐射处理 诱发突变 黄酮含量
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1-3
页数 3页 分类号 S517.035.2
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2003(0)
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研究主题发展历程
节点文献
^60钴-γ射线
苦荞改良
辐射处理
诱发突变
黄酮含量
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
西昌农业高等专科学校学报
季刊
1008-4169
51-1526/G4
四川西昌市马坪坝
出版文献量(篇)
633
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