正磁致伸缩铁磁材料磁记忆现象的理论探讨

• 作者: 周俊华 雷银照
• 来源期刊: 郑州大学学报(工学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 分子场 应力集中 铁磁材料 磁记忆检测
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 101-105
• 页数: 5页
• 分类号: TG115.28
• 字数: 3174字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6833.2003.03.026

摘要

针对金属磁记忆无损检测原理,基于铁磁性的唯像理论,利用一个近似的分子场,得到了地磁场中受应力作用的铁磁杆件的有效场表达式;利用能量最小原理,得到了分子场参数表达式;根据所得的有效场表达式,解释了磁致伸缩为正的铁磁材料在应力集中处漏磁场切向分量出现最大值、同时法向分量为零值的现象,并进行了仿真计算.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	雷银照	北京航空航天大学电气工程系	33	438	9.0	20.0
2	周俊华	郑州大学电气工程学院	1	67	1.0	1.0