大直径直拉硅中氮对原生氧沉淀的影响

• 作者: 余学功 李立本 杨建松 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺氮 直拉硅 原生氧沉淀
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 49-53
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.01.010

摘要

研究了在大直径直拉硅单晶中掺氮(N)对原生氧沉淀的影响.通过高温一步退火(1050℃)和低-高温两步退火(800℃+1050℃)发现在掺N直拉(NCZ)硅中氧沉淀的行为与一般直拉(CZ)硅是大不相同的,经过高温一步退火后,在氧化诱生层错环(OSF-ring)区氧沉淀的量要小于空洞型缺陷(voids)区,而经过低-高温两步退火后,OSF-ring区的氧沉淀量要远远大于voids区.由此可得,在晶体生长过程中,N通过改变硅晶体中空位的浓度及其分布从而改变原生氧沉淀的尺寸和分布.并在此基础上讨论了在大直径NCZ硅中掺N影响原生氧沉淀的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	李立本	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	94	7.0	9.0
5	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0
6	杨建松	浙江大学硅材料国家重点实验室	2	15	2.0	2.0