纳米TiO2对ZnO压敏电阻的影响

• 作者: 刘大良 周水明 李景洪
• 来源期刊: 南方金属
• 学科: 工学
• 关键词: 纳米TiO2 ZnO 压敏电阻
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 20-22,42
• 页数: 4页
• 分类号: TB383|TN304.93
• 字数: 3261字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9700.2003.02.006

摘要

制作低压ZnO压敏电阻的一般方法是掺入TiO2作为晶粒助长剂. TiO2的加入可降低压敏电压和非线性系数, 增加漏流, 这是由于晶粒发育不均所至. 而掺入纳米TiO2的ZnO压敏电阻晶粒生长较为均匀, 非线性系数和静电容量增大, 烧结温度下降.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘大良		2	2	1.0	1.0
2	李景洪		1	2	1.0	1.0
3	周水明		1	2	1.0	1.0