淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响

• 作者: 林钰 贾晓林 辛荣生
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体 ITO膜 磁控溅射
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 510-512
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 1704字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.04.023

摘要

在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜, 采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系, 并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况. 所镀制的ITO膜电阻率已降到＜2×10-4 Ω*cm, 可见光透过率达80%以上.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	贾晓林	郑州大学材料工程学院	72	778	13.0	24.0
2	林钰	河南教育学院化学系	34	267	9.0	15.0
3	辛荣生	郑州大学材料工程学院	27	246	9.0	14.0