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摘要:
在玻璃衬底上用直流磁控溅射的方法镀制ITO透明半导体膜, 采用X射线衍射技术分析了膜层晶体结构与温度和氧含量的关系, 并测量分析了薄膜电阻率及透光率分别随温度和氧含量的变化情况. 所镀制的ITO膜电阻率已降到<2×10-4 Ω*cm, 可见光透过率达80%以上.
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关键词热度
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文献信息
篇名 淀积温度和氧含量对ITO膜结构及性能的影响
来源期刊 稀有金属 学科 工学
关键词 半导体 ITO膜 磁控溅射
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目 研究简报
研究方向 页码范围 510-512
页数 3页 分类号 TN304.055
字数 1704字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.04.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 贾晓林 郑州大学材料工程学院 72 778 13.0 24.0
2 林钰 河南教育学院化学系 34 267 9.0 15.0
3 辛荣生 郑州大学材料工程学院 27 246 9.0 14.0
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