换流阀内可控硅端电压特性分析和缓中电路参数优化

• 作者: 于永明 王建生 赵中原 邱毓昌
• 来源期刊: 中国电力
• 学科: 工学
• 关键词: 换流阀 阳极电抗器 缓冲电路
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 输配电
• 页码范围: 52-54
• 页数: 3页
• 分类号: TK721.1
• 字数: 1795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-9649.2003.01.012

摘要

换流阀内可控硅端电压分布特性取决于可控硅器件性能和相应的缓冲电路参数.用一个较实际的可控硅宏模型,对换流阀内的一个可控硅模块与饱和电抗器的串联电路进行动态仿真,分析可控硅并联的缓冲电路参数对换流阀内电压分布特性的影响及换流时换流阀内电压振荡特性;给出缓冲电路参数优化的趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邱毓昌	西安交通大学电气工程学院	228	4719	36.0	54.0
2	赵中原	西安交通大学电气工程学院	34	516	14.0	22.0
3	王建生		45	451	13.0	19.0
4	于永明		15	180	7.0	13.0