硅技术发展的极限突破

• 作者: 宴敏 易立华 曾云
• 来源期刊: 微电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅技术 极限 突破
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1-3,24
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 3520字
• 语种: 中文

摘要

介绍了硅技术的发展及现状;主要分析了硅技术发展中遇到的极限挑战及可能突破的方法,预测了21世纪硅技术发展方向.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曾云	湖南大学应用物理系	102	899	13.0	27.0
2	易立华	湖南大学应用物理系	2	14	2.0	2.0
3	宴敏	湖南大学应用物理系	2	2	1.0	1.0