氮化铝单晶薄膜的ECR-PEMOCVD低温生长研究

• 作者: 徐茵 杨大智 秦福文 顾彪
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: AlN 氢等离子体清洗 氮化 GaN
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1240-1244
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4660字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.05.038

摘要

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在c轴取向的蓝宝石即α-Al2O3(0001)衬底上,以氮化镓(GaN)缓冲层和外延层作为初始层,分别以高纯氮气(N2)和三甲基铝(TMAl)为氮源和铝源低温生长氮化铝(AlN)薄膜.并利用反射高能电子衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和x射线衍射(XRD)等测量结果,研究了氢等离子体清洗、氮化和GaN初始层对六方AlN外延层质量的影响,从而获得解理性与α-Al2O3衬底一致的六方相AlN单晶薄膜,其XRD半高宽为12弧分.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦福文	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	40	235	8.0	14.0
5	顾彪	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	41	363	12.0	18.0
9	徐茵	大连理工大学三束材料表面改性国家重点实验室	26	207	8.0	13.0
13	杨大智	大连理工大学材料科学与工程系	84	1226	20.0	31.0