SOI技术的新进展

• 作者: 林成鲁
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘层上硅 离子注入 注氧隔离 薄层转移
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 集成电路制造技术
• 页码范围: 39-43
• 页数: 5页
• 分类号: TN303
• 字数: 3993字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2003.09.011

摘要

综述了SOI技术的发展历程,SOI的主流技术,SOI技术发展的新动向,SOI技术的应用进展,并介绍了上海微系统与信息技术研究所和上海新傲科技有限公司的SOI研发和产业化情况。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林成鲁	中科院上海微系统与信息技术研究所	5	55	4.0	5.0