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文献信息
篇名 IR全新MOSFET具备快速本体二极管特性
来源期刊 电子质量 学科
关键词
年,卷(期) 2003,(5) 所属期刊栏目 新品展台
研究方向 页码范围 111-111
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
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相关学者/机构
期刊影响力
电子质量
月刊
1003-0107
44-1038/TN
大16开
广州市五羊新城广兴花园32号一层
46-39
1980
chi
出版文献量(篇)
7058
总下载数(次)
32
总被引数(次)
15176
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