钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
学术导航
任务中心
论文润色
登录
文献导航
学科分类
>
综合
工业技术
科教文艺
医药卫生
基础科学
经济财经
社会科学
农业科学
哲学政法
社会科学II
哲学与人文科学
社会科学I
经济与管理科学
工程科技I
工程科技II
医药卫生科技
信息科技
农业科技
数据库索引
>
中国科学引文数据库
工程索引(美)
日本科学技术振兴机构数据库(日)
文摘杂志(俄)
科学文摘(英)
化学文摘(美)
中国科技论文统计与引文分析数据库
中文社会科学引文索引
科学引文索引(美)
中文核心期刊
cscd
ei
jst
aj
sa
ca
cstpcd
cssci
sci
cpku
默认
篇关摘
篇名
关键词
摘要
全文
作者
作者单位
基金
分类号
搜索文章
搜索思路
钛学术文献服务平台
\
学术期刊
\
工业技术期刊
\
无线电电子学与电信技术期刊
\
半导体学报(英文版)期刊
\
Pb(Zr0.6Ti0.4)O3/LaNiO3铁电电容的制备及其疲劳特性
Pb(Zr0.6Ti0.4)O3/LaNiO3铁电电容的制备及其疲劳特性
作者:
姜国宝
康晓旭
林殷茵
汤庭鳌
王晓光
钟宇
黄维宁
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
LNO
氧化物电极
抗疲劳特性
频率
脉宽
摘要:
以LaNiO3(LNO)为独立下电极,制备出Au(Cr)/PZT/LNO/SiO2结构的铁电电容,与使用Pt下电极对比,其抗疲劳特性得到了极大的改善.在1MHz频率10V电压下,经过1011次脉冲反转,其(P-P^)仅下降了11%左右,这主要是由于使用氧化物电极可以极大地降低PZT与电极界面处的氧空位的形成和积聚.通过不同频率和相同频率不同脉冲宽度条件下疲劳特性的测试,观察到随着测试频率的升高,抗疲劳特性也随之提高;在相同频率下,随着测试脉宽的加大,疲劳现象加剧;同时,结合缺陷对载流子的俘获和带电氧空位的迁移理论很好地解释了上述现象.
暂无资源
收藏
引用
分享
推荐文章
等静压和温度作用下Pb(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷的介电性能研究
反铁电-铁电陶瓷
介电性能
相变
等静压
PbLa(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的静电场能存储特性
反铁电陶瓷
静电场能量
等静压
相变
等静压诱导的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3 陶瓷铁电-反铁电相变性能研究
等静压
压致相变
铁电-反铁电相变
介电压谱
弛豫行为
(La0.5Sr0.5)CoO3为电极的Pb(Zr0.4Ti0.6)O3和Pb(Zr0.2Ti0.8)O3铁电电容器结构及电学性能
Pb(Zr1-xTix)O3
铁电电容器
溶胶-凝胶
矫顽场
脉宽依赖性
疲劳特性
内容分析
文献信息
引文网络
相关学者/机构
相关基金
期刊文献
内容分析
关键词云
关键词热度
相关文献总数
(/次)
(/年)
文献信息
篇名
Pb(Zr0.6Ti0.4)O3/LaNiO3铁电电容的制备及其疲劳特性
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
LNO
氧化物电极
抗疲劳特性
频率
脉宽
年,卷(期)
2003,(6)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
617-621
页数
5页
分类号
TN386
字数
3471字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2003.06.011
五维指标
传播情况
被引次数趋势
(/次)
(/年)
引文网络
引文网络
二级参考文献
(5)
共引文献
(1)
参考文献
(14)
节点文献
引证文献
(1)
同被引文献
(0)
二级引证文献
(0)
1988(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1989(1)
参考文献(0)
二级参考文献(1)
1990(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1991(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1994(2)
参考文献(2)
二级参考文献(0)
1995(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
1996(3)
参考文献(1)
二级参考文献(2)
1998(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2000(3)
参考文献(2)
二级参考文献(1)
2001(2)
参考文献(1)
二级参考文献(1)
2002(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
2003(1)
参考文献(1)
二级参考文献(0)
引证文献(0)
二级引证文献(0)
2008(1)
引证文献(1)
二级引证文献(0)
研究主题发展历程
节点文献
LNO
氧化物电极
抗疲劳特性
频率
脉宽
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
相关基金
国家自然科学基金
英文译名:
the National Natural Science Foundation of China
官方网址:
http://www.nsfc.gov.cn/
项目类型:
青年科学基金项目(面上项目)
学科类型:
数理科学
期刊文献
相关文献
1.
等静压和温度作用下Pb(Zr,Sn,Ti)O3陶瓷的介电性能研究
2.
PbLa(Zr,Sn,Ti)O3反铁电陶瓷的静电场能存储特性
3.
等静压诱导的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3 陶瓷铁电-反铁电相变性能研究
4.
(La0.5Sr0.5)CoO3为电极的Pb(Zr0.4Ti0.6)O3和Pb(Zr0.2Ti0.8)O3铁电电容器结构及电学性能
5.
Pb(Zr0.4Ti0.6)O3电子结构的第一性原理研究
6.
LaNiO3衬底上Pb(ZrxTi1-x)O3铁电薄膜及梯度薄膜的制备和研究
7.
硅基(001)取向Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3薄膜的制备及其铁电性能研究
8.
含NiTi阻挡层的硅基(La0.5Sr0.5)CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/(La0.5Sr0.5)CoO3铁电电容器异质结
9.
溶胶-凝胶法制备LaNiO3薄膜及其电学性能研究
10.
微波合成Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)粉体
11.
La0.5Sr0.5CoO3/Pb(Zr0.4Ti0.6)O3/La0.5Sr0.5CoO3铁电电容器的结构和性能研究
12.
Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电陶瓷烧结工艺及性能研究
13.
Bi4Ti3O12铁电薄膜的制备及研究进展
14.
含Ni-Nb阻挡层的硅基Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3电容器的制备及铁电性能研究
15.
柔性Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜的高温铁电特性
推荐文献
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
首页
论文降重
免费查重
学术期刊
学术导航
任务中心
论文润色
登录
根据相关规定,获取原文需跳转至原文服务方进行注册认证身份信息
完成下面三个步骤操作后即可获取文献,阅读后请
点击下方页面【继续获取】按钮
钛学术
文献服务平台
学术出版新技术应用与公共服务实验室出品
原文合作方
继续获取
获取文献流程
1.访问原文合作方请等待几秒系统会自动跳转至登录页,首次访问请先注册账号,填写基本信息后,点击【注册】
2.注册后进行实名认证,实名认证成功后点击【返回】
3.检查邮箱地址是否正确,若错误或未填写请填写正确邮箱地址,点击【确认支付】完成获取,文献将在1小时内发送至您的邮箱
*若已注册过原文合作方账号的用户,可跳过上述操作,直接登录后获取原文即可
点击
【获取原文】
按钮,跳转至合作网站。
首次获取需要在合作网站
进行注册。
注册并实名认证,认证后点击
【返回】按钮。
确认邮箱信息,点击
【确认支付】
, 订单将在一小时内发送至您的邮箱。
*
若已经注册过合作网站账号,请忽略第二、三步,直接登录即可。
期刊分类
期刊(年)
期刊(期)
期刊推荐
一般工业技术
交通运输
军事科技
冶金工业
动力工程
化学工业
原子能技术
大学学报
建筑科学
无线电电子学与电信技术
机械与仪表工业
水利工程
环境科学与安全科学
电工技术
石油与天然气工业
矿业工程
自动化技术与计算机技术
航空航天
轻工业与手工业
金属学与金属工艺
半导体学报(英文版)2022
半导体学报(英文版)2021
半导体学报(英文版)2020
半导体学报(英文版)2019
半导体学报(英文版)2018
半导体学报(英文版)2017
半导体学报(英文版)2016
半导体学报(英文版)2015
半导体学报(英文版)2014
半导体学报(英文版)2013
半导体学报(英文版)2012
半导体学报(英文版)2011
半导体学报(英文版)2010
半导体学报(英文版)2009
半导体学报(英文版)2008
半导体学报(英文版)2007
半导体学报(英文版)2006
半导体学报(英文版)2005
半导体学报(英文版)2004
半导体学报(英文版)2003
半导体学报(英文版)2002
半导体学报(英文版)2001
半导体学报(英文版)2000
半导体学报(英文版)2003年第z1期
半导体学报(英文版)2003年第9期
半导体学报(英文版)2003年第8期
半导体学报(英文版)2003年第7期
半导体学报(英文版)2003年第6期
半导体学报(英文版)2003年第5期
半导体学报(英文版)2003年第4期
半导体学报(英文版)2003年第3期
半导体学报(英文版)2003年第2期
半导体学报(英文版)2003年第12期
半导体学报(英文版)2003年第11期
半导体学报(英文版)2003年第10期
半导体学报(英文版)2003年第1期
关于我们
用户协议
隐私政策
知识产权保护
期刊导航
免费查重
论文知识
钛学术官网
按字母查找期刊:
A
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
S
T
U
V
W
X
Y
Z
其他
联系合作 广告推广: shenyukuan@paperpass.com
京ICP备2021016839号
营业执照
版物经营许可证:新出发 京零 字第 朝220126号