射频微机械CPW开关的研究

• 作者: 张正元 张正番 徐世六 温志渝 黄尚廉
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 射频微机械开关 CPW开关 金属膜 绝缘层 牺牲层
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 671-673
• 页数: 3页
• 分类号: TN820.8+3
• 字数: 2510字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0372-2112.2003.05.008

摘要

本文采用聚酰亚胺牺牲层技术和二氧化硅介质隔离技术,成功地在绝缘多晶硅衬底上研制出一种射频微机械CPW开关.初步测试结果如下:开态电容为0.21pF,关态电容为6.1pF,致动电压为22V,关态下的隔离度为35dB,开态下插入损耗为3dB.该工艺完全与硅基IC工艺兼容,这为射频微机械CPW开关与IC实现单片集成化,降低体积提高可靠性打下了基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄尚廉	重庆大学光电工程学院	164	3610	34.0	51.0
2	温志渝	重庆大学光电工程学院	143	1259	18.0	26.0
3	张正元	重庆大学光电工程学院	8	67	6.0	8.0
7	徐世六		2	11	2.0	2.0
8	张正番		2	11	2.0	2.0