多孔硅形成机理研究的新进展

• 作者: 丁德宏 付世 单新华 姚朋军 沈桂芬
• 来源期刊: 辽宁大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 多孔硅 晶向 散射 孔隙度
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 93-96
• 页数: 4页
• 分类号: O472
• 字数: 3359字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5846.2003.01.024

摘要

更深入地分析了多孔硅形成的几种模型,对影响多孔硅形成的几个关键因素提出了新观点,描述了多孔硅的形成过程的一些特性,指出了多孔硅的应用与发展的前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈桂芬	辽宁大学物理系	15	136	6.0	11.0
2	付世	辽宁大学物理系	8	47	5.0	6.0
3	丁德宏	辽宁大学物理系	7	47	5.0	6.0
4	姚朋军	辽宁大学物理系	10	109	6.0	10.0
5	单新华	辽宁大学物理系	1	8	1.0	1.0