GaAs/Si/AlAs异质结的带阶和GaAs生长温度的影响

• 作者: 吴正龙 周大勇 孔云川 李永平 杨锡震 澜清 牛智川 王亚非 田强
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAs/AlAs异质结 Si夹层 XPS测量 C-V测量 DLTS测量 带阶调节
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 168-172
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 2114字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.012

摘要

用分子束外延(MBE)设备制备了GaAs/AlAs和GaAs/Si/AlAs异质结,通过XPS分别研究了异质结界面处Si层厚度为0.5ML和1ML对异质结带阶的调节,得到最大调节量为0.2eV;通过C-V法研究了异质结的GaAs层在不同温度下生长对0.5ML Si夹层的影响,得到Si夹层的空间分布随GaAs层生长温度的升高而扩散增强的温度效应,通过深能级瞬态谱(DLTS)研究了在上述不同温度下生长的GaAs层的晶体质量.